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MOQ : 01 , , Number

डिसप्ले
Not integrated

उपयोग/अनुप्रयोग
Biosensing, Chemical Sensing, Detection of Gases and Biomolecules

तापमान
-40°C to +85°C

चालित प्रकार
Electronic

पावर
<50 mW

वोल्टेज
0.5 V (operating, typical)

साइज
11 mm × 11 mm

मटेरियल
Graphene

मापने की सीमा
1 pM to 1 mM (analyte dependent)

अंतरफलक
Two-terminal and Four-terminal

फ़्रिक्वेंसी
DC to 1 MHz

वज़न
3 grams

Channel Width
5 μm

Gate Dielectric
High-quality oxide (typically 285 nm SiO2)

Response Time
<1 second

Life Span
>2 years under recommended conditions

Sensitivity
Up to femtomolar level detection

Output Signal
Current/Voltage (based on configuration)

Package Type
Chip/Dice

Substrate
Si/SiO2

Storage Condition
Dry, dust-free environment

Minimum Order Quantity
01 , , Number

भुगतान की शर्तें
पेपैल

आपूर्ति की क्षमता
5 प्रति दिन

डिलीवरी का समय
25 दिन

पैकेजिंग का विवरण
एक डिब्बे में पैक करके बंद करें

मुख्य घरेलू बाज़ार
ऑल इंडिया

जीएफईटी-एस11 (डाई आकार 10 मिमी x 10 मिमी) - क्लीन रूम क्लास 1000 में संसाधित

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S10

माप की इकाई : , , नंबर

साइज : 10 mm x 10 mm chip

वज़न : Approx. 2 g

वोल्टेज : Drain Voltage (Vds): 01 V; Gate Voltage (Vg): 2 V to +2 V

फ़्रिक्वेंसी : DC to 1 KHz

चालित प्रकार : Electrical (voltage controlled)

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S20

माप की इकाई : नंबर, ,

साइज : 20 mm x 20 mm

वज़न : Approx. 2 grams

वोल्टेज : 0 – 10 V DC

फ़्रिक्वेंसी : DC to 100 kHz

चालित प्रकार : Externally powered

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S12

माप की इकाई : , , नंबर

साइज : 12 mm x 12 mm

वज़न : Approx. 3.2 g

वोल्टेज : 0 to 2 V (Recommended Gate/Drain voltage)

फ़्रिक्वेंसी : DC to 100 kHz

चालित प्रकार : Electric field

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GFAB - ग्राफीन फाउंड्री सर्विस

माप की इकाई : , , नंबर

साइज : Custom wafers and substrates

वज़न : Depends on substrate and layers

वोल्टेज : Process variable, depends on device requirements

फ़्रिक्वेंसी : Supports GHz range for RF applications

चालित प्रकार : Waferbased fabrication

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Price 8000 आईएनआर/ Number