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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S12

Price 8000 आईएनआर/ Number

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MOQ : 01 , , Number

सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S12 उत्पाद की विशेषताएं

साइज
12 mm x 12 mm

चालित प्रकार
Electric field

मटेरियल
Graphene Field Effect Transistor (GFET)

फ़्रिक्वेंसी
DC to 100 kHz

तापमान
Operating Range: -10°C to +85°C

वोल्टेज
0 to 2 V (Recommended Gate/Drain voltage)

वज़न
Approx. 3.2 g

अंतरफलक
2-terminal/4-terminal with connectable electrodes

पावर
Low power consumption, <10 mW

मापने की सीमा
Highly sensitive, varies with analyte; typical detection limits in nM to pM range

डिसप्ले
Not Applicable (output via signal measurement device)

उपयोग/अनुप्रयोग
Sensing applications including chemical, biological, and environmental analyte detection

सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S12 व्यापार सूचना

न्यूनतम आदेश मात्रा
01 , , नंबर

आपूर्ति की क्षमता
5 प्रति दिन

डिलीवरी का समय
25 दिन

पैकेजिंग का विवरण
सील पैक

मुख्य घरेलू बाज़ार
ऑल इंडिया

सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S12 के बारे में

जीएफईटी-एस12 (डाई आकार 10 मिमी x 10 मिमी) - क्लीन रूम क्लास 1000 में संसाधित

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S10

फ़्रिक्वेंसी : DC to 1 KHz

मटेरियल : Graphene

उपयोग/अनुप्रयोग : Biosensing, gas sensing, chemical detection, environmental monitoring

वज़न : Approx. 2 g

वोल्टेज : Drain Voltage (Vds): 01 V; Gate Voltage (Vg): 2 V to +2 V

तापमान : Operating: 20°C to +60°C

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S20

फ़्रिक्वेंसी : DC to 100 kHz

मटेरियल : Highquality Graphene

उपयोग/अनुप्रयोग : Chemical and biological sensing

वज़न : Approx. 2 grams

वोल्टेज : 0 – 10 V DC

तापमान : 20°C to 60°C

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सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए GFET-S11

फ़्रिक्वेंसी : DC to 1 MHz

मटेरियल : Graphene

उपयोग/अनुप्रयोग : Biosensing, Chemical Sensing, Detection of Gases and Biomolecules

वज़न : 3 grams

वोल्टेज : 0.5 V (operating, typical)

तापमान : 40°C to +85°C

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GFAB - ग्राफीन फाउंड्री सर्विस

फ़्रिक्वेंसी : Supports GHz range for RF applications

मटेरियल : Graphene

उपयोग/अनुप्रयोग : Research, Electronics, Sensors, Photonics, RF Devices

वज़न : Depends on substrate and layers

वोल्टेज : Process variable, depends on device requirements

तापमान : Process compatible up to 300°C

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